RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2786
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link