RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3233
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link