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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3233
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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