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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
総合得点
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
相違点
仕様
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
33
周辺 -43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
23
読み出し速度、GB/s
8.0
17.3
書き込み速度、GB/秒
7.3
13.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1911
3233
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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