RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HX421C14FB/4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2730
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link