RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2704
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link