RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2680
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link