RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
50
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2248
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link