RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
50
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
50
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2248
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link