RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3020
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link