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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3020
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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