RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2988
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link