RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2590
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link