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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2590
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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