RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2825
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link