RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3778
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link