RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3063
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link