RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3168
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link