RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2193
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link