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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
47
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2193
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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