RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2608
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link