RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1740
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link