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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
2,909.8
10.4
写入速度,GB/s
1,519.2
5.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1740
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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