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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
74
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
36
读取速度,GB/s
4,178.4
15.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2792
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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