RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2792
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link