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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
比较
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
总分
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
10.4
18.4
写入速度,GB/s
7.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
2954
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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