RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
74
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
74
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1825
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link