RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
74
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
74
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1825
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link