RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
52
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2176
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link