RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2734
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link