RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2321
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link