RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2774
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link