RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3423
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link