RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3491
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link