RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3491
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link