RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
68
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
2902
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link