Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 15.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    41 left arrow 68
    Por volta de -66% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.2 left arrow 1,702.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 5300
    Por volta de 4.83 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    68 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,886.6 left arrow 15.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,702.6 left arrow 12.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    654 left arrow 2902
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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