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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
68
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
41
读取速度,GB/s
3,886.6
15.5
写入速度,GB/s
1,702.6
12.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2902
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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