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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
89
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
89
读取速度,GB/s
10.2
13.6
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1518
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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