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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
65
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
49
读取速度,GB/s
4,806.8
10.8
写入速度,GB/s
2,784.6
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2302
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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