RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
65
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2302
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link