RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
104
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2570
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link