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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
55
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
55
读取速度,GB/s
11.6
18.8
写入速度,GB/s
7.3
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2293
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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最新比较
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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