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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
16.1
写入速度,GB/s
10.9
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2591
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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