RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
68
Autour de -66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2902
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link