RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2892
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link