RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
29
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
17
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
22.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link