RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2409
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link