RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2562
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link