RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.1
    テスト平均値
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB 考慮すべき理由
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 46
    周辺 -35% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2562

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
メモリRAM